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[求助] 哪位兄台知道特别低噪声的工艺

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发表于 2013-12-25 16:34:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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以及实现低噪声的工艺制造方法?
发表于 2013-12-25 22:23:40 | 显示全部楼层
噪声跟工艺有关,但也和设计有关,很大程度取决于设计!
一般而言BIPOR的噪声要小于CMOS
不知楼主要求噪声小到什么程度啊?
发表于 2013-12-25 22:46:19 | 显示全部楼层
回复 2# chenls_2002


    楼上你说的这些楼主肯定都知道,既然专门提出低噪声要求那么可以肯定满足这种要求的工艺很特殊。所以我就不插嘴了,坐个板凳看看。
 楼主| 发表于 2013-12-26 09:22:02 | 显示全部楼层
回复 2# chenls_2002


    150uA以内实现10nV以下,面积要小
发表于 2013-12-26 09:56:27 | 显示全部楼层
补充了跟没补充一样!
 楼主| 发表于 2013-12-26 10:03:29 | 显示全部楼层
回复 5# jiang_shuguo


    CMOS的音频放大器
发表于 2013-12-26 11:18:33 | 显示全部楼层
回复 6# kwankwaner


    指标要求的是噪声密度?不是一般要求某个频率范围的积分噪声么?不了解CMOS音频放大器的噪声指标。但我觉得应该是积分噪声。
发表于 2013-12-26 11:19:58 | 显示全部楼层
就算是噪声密度你也得给出频点啊!
 楼主| 发表于 2013-12-26 11:57:33 | 显示全部楼层
回复 7# jiang_shuguo


    一般宽带运放看的是积分噪声,窄带的看密度的多,1/F转角要推到低频带外所以就没说频点,噪声是平坦的所以给了密度或积分都是一样评估的
发表于 2013-12-26 12:32:24 | 显示全部楼层
回复 9# kwankwaner


    嗯,理论上这样对。但你100HZ处和0.1Hz处都在带宽内的话,他们的密度差别很大。你是单片CMOS放大器,还是系统里面的?单片工艺在0.35um以上,完全出现我前面说的(100HZ处和0.1Hz处都在带宽内的话)情况,即窄带系统,仍要考虑频点。系统可以用0.18及以下工艺,就可以只考虑噪声密度,在窄带系统。
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