电阻分压

shaiyayr

hi我需要得到1/3VDD和2/3VDD两个与电源电压成比例的电压，一开始用三个电阻串联分压的方式实现，如果要求电流消耗小于0.3uA，电源电压3.3V，则需要很大的电阻值（大于10M欧姆），面积消耗太大。现在我想直接用MOS管来实现，请问各位大侠这样做可行吗，有什么坏处，会不会匹配性不好？

kwankwaner

匹配和噪声都差，但是这么低电流又不舍得面积就只能这样了

rong00i8

这两个电压的用途？
pwell电压不一样，匹配性应该不好。看看mc结果吧

semico_ljj

需要多少的精度？+-5%以上才可行

rev2012

需要多少的精度？+-5%以上才可行
semico_ljj 发表于 2013-12-17 19:47

                               
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楼主如果用3个PMOS就可以去掉衬偏的作用了，应该不止这个精度。

这个题目就类似于，在流过相同电流的情况下，MOS管VGS的失配，这个概念和普通差分放大器的offset概念差不多，

如果这3个MOS管的相互VGS offset是10mV，那么对于VGS=1.1V来说，精度是很高的

semico_ljj

回复 5# rev2012

实际流片，用HR做分压电阻，精度能到+-1%已经非常不错。
用MOS分压保守估计+-5%。
单独看offset，实际流片效果不会这么好

rev2012

回复  rev2012

实际流片，用HR做分压电阻，精度能到+-1%已经非常不错。
用MOS分压保守估计+-5%。
单独 ...
semico_ljj 发表于 2013-12-18 09:33

                               
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拿TSMC的HR电阻来做例子，100um^2的3 sigma误差是1.5%,要400um^2才可到0.75%，没错。

但是这三个并联的PMOS没衬偏效应，压差是相等的，只是电位不同，而且流过相同的电流。

这就是流过相同电流的PMOS求VGS offset的问题啊，如果这个偏差很大，那么为什么运放的3 sigma offset可以轻易做到几个mV呢。

我说的是PMOS在饱和区的情况，就是VCC>3VTH。当然我没流片过这种MOS分压电路，以上只是理论分析。

semico_ljj

回复 7# rev2012

你说的对！
但是我们应用在分压电路一般是倒比管，偏置电流很小，而且I会跟随温度和电压变化很大。
理论上相邻小范围地区的MOS的特性应该一致（同等条件下），偏差很小，实测情况如何就不得而知了。没这么用过。
欢迎继续讨论

shaiyayr

回复 3# rong00i8

做一个低频的relaxlation oscillator，需要与vdd成比例的两个电压作为比较器参考电压，这样效果不好的话，不知道还有没有什么其他的方法？

semico_ljj

回复 9# shaiyayr

如果是用做OSC的分压比较节点，还是可以用用的，
OSC的精度本来就不能要求很高