关于poly掺杂的问题

ygyg100 · 发表于 2013-12-6 21:53:04

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请教foundry的大大们2个问题：1、在普通不带silicide的CMOS工艺中，源和漏的注入（N+和P+）是在做完gate poly后，利用自对准原理做的，我想知道的是，这时候的N+和P+对poly的掺杂浓度有没有影响（poly淀积的时候已经掺杂了），有影响的话影响有多大？如果最后poly的方块电阻是20 ohm，那么N+或P+在其中贡献了多少？
2、为什么在有的CMOS工艺中，poly必须要做N+和P+注入（不是淀积时候的掺杂）？而有的可以不用再做？

oitop · 发表于 2014-7-10 12:20:23

首先更正下楼主，salicide，对poly影响挺大，poly电阻就是反例

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