40nm以及以下工艺出现的MOSCAP latch-up触发机制及防护

fun69 · 发表于 2013-11-20 16:18:57

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最近公司一块40nm的片子在升压的时候烧坏了！ debug半天之后发现烧坏的地方有很多MOSCAP，之后查阅40nm design rule,发现里面有描述MOSCAP跟internal circuit靠的很近的时候如果没有保护环，会有发生latch-up的可能！但没详细解释发生的机制，以及详细的保护措施！请教这里有人知道MOSCAP跟stdcell挨着一起时候latch-up是如何发生的？具体如何防止呢？谢谢！

fun69 · 发表于 2013-11-21 18:02:52

不会吧？没人知道？

lyfztz · 发表于 2013-11-21 19:19:21

顶一下，我也想学习一下！

ruinsnku · 发表于 2013-11-22 09:54:52

看描述实在是看不清楚，要不你把那部分的design rule拿来大伙分析分析？

cxl666 · 发表于 2013-11-22 10:08:23

回复 1# fun69

你确定是latchup不是ESD或管子被击穿烧掉？看下你的moscap具体是什么样子的，gate是直接连到P/G还是通过mos的漏区然后再到P/G？

fun69 · 发表于 2013-11-22 18:21:09

design rule 如下：

MOSCAP Latch-up issue for 40nm and below process

fun69 · 发表于 2013-11-22 18:23:21

升压时候烧坏，当然是Latch-up！

fun69 · 发表于 2013-11-25 13:24:52

有人知道吗？

fun69 · 发表于 2013-11-27 11:13:59

没高手吗？

fun69 · 发表于 2013-11-27 17:25:16

有foundry的人吗？

[原创] 40nm以及以下工艺出现的MOSCAP latch-up触发机制及防护

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