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线性稳压器的拓扑结构 近几年来,随着半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低,体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次,对于中小功率的应用,可以使用成本低小型封装。另外,如果开关频率提高到1MHz,还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能,如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。 线性稳压器的5种拓扑结构如图1所示。a图为传统的NPN型线性稳压器,其输入/输出压差超过2.5~3V,I为驱动电流(下同)。b图为准低压差线性稳压器(QLDO),其压差可减小到0.9~1.5V。c图为PNP型低压差线性稳压器(LDO),其压差仅为0.3~0.6V。d图为由P沟道MOS管构成的PMOS超低压差线性稳压器(VLDO),其压差可降至100mV左右。e图为由N沟道MOS管构成的NMOS VLDO,其压差可低至几十毫伏。
上述5种线性稳压器的压差计算公式见附表1。 低压差线性稳压器的主要特点 低压差线性稳压器的主要特点是可最大限度地降低调整管压降,从而大大减小了输入-输出压差,使稳压器能在输入电压略高于额定输出电压的条件下工作。例如,传统的线性稳压器7805或LM317,要求输入电压必须比输出电压高出2.5~3V才能正常工作。为获得+5V输出,就需要+8V的输入电压。与之相比,新型低压差稳压器的输入电压只需高于+5.3V,即可获得+5V输出。从电源效率上看,LM317工作在+3.3V、1A时的效率低于50%。 低压差线性稳压器与开关稳压器相比,主要有以下6个优点:①稳压性能好;②低噪声(可达几十个微伏,无开关噪声)、低纹波(电源抑制比可达60~70dB),这对于无线电和通信设备至关重要;③低静态电流(超βLDO的静态电流可低至几微安至几十微安),低功耗,当输入电压与输出电压接近时可达到很高的效率;④具有快速响应能力,能对负载及输入电压的变化做出快速反应;⑤外围电路简单(仅用两只电容器),使用方便;⑥成本低廉。
低压差线性稳压器与其他稳压器的性能比较见表2。 低压差线性稳压器使用注意事项● 使用低压差线性稳压器时不得超过芯片的最高输入电压(UIM)、最大功耗(PDM)、最高结温(TjM)等极限参数值。最大功耗PDM=(UIM-UO)IOM。一般讲,芯片的封装尺寸越小,功耗越低。● 输入电压必须大于预期的输出电压与输入-输出压差之和,即UI>UO+ΔU,否则低压差线性稳压器无法正常工作。● 为延长电池使用寿命,应选择相对于负载电流而言,静态电流IQ较小的LDO。例如,为使IQ只增加0.02%的电池消耗,在100mA负载电流的情况下,采用IQ=200μA的VLDO比较合理。某些器件是在室温条件下规定的,或只提供IQ与温度关系的典型曲线。必要时可实测IQ值。● 输出电压的精度亦称允许偏差。线性稳压器的输出电压精度一般不超过额定值的±5%。对大多数应用而言,该精度已经足够了。● 由于输出电容是用来补偿LDO的,因此在选择输出电容器时应格外仔细。一般情况下,采用等效串联电阻(ESR)较低的大电容器,可提高电源抑制比,降低噪声电压并改善瞬态响应。但ESR过高或过低,也可能造成振荡。● 手机、MP3、游戏机及多媒体PDA等便携式设备,适配300~500mA的LDO。为获得良好的音频质量,这种LDO在20Hz~20kHz的音频范围内应具有噪声电压低、电源抑制比(PSRR)很高的特性。● 为满足精密电子设备的供电要求,应尽量减小LDO的输出噪声。LDO的输出噪声主要来源于基准电压电路,它所产生的噪声经过放大后送至输出端。影响LDO输出噪声的其他因素还有LDO内部放大器的极点、零点和输出极点,外部输出电容的容量、输出电容的等效串联电阻(ESR)及负载值。● 在查阅LDO的产品资料时,应注意所给出精度指标是在室温下,还是在整个工作温度范围内,是满载条件下还是在中等负载或空载条件下。● LDO有多种压差数据,应区分轻载、中等负载、满载条件下的压差最小值、典型值和最大值。满载条件下压差的最大值最具有实际意义,设计时应以此为依据,确保低压差线性稳压器在最坏的情况下仍能正常工作。● 使用LDO时,需要装合适的散热器,以便将芯片内部产生的热量及时散发出去,避免因散热不良二导致管芯温度超过最高结温,使LDO无法正常工作,甚至损坏芯片。● 由LDO构成PC主板电源时必须具有良好的瞬态响应,以利于推动高速变化的负载,确保输出电压保持稳定。● 利用低压差线性稳压器专用设计软件(例如美国Micrel半导体公司开发的免费设计软件LDO-It),可实现LDO的优化设计。 |