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查看: 4001|回复: 8

[讨论] 这四种MOS电容都会用在什么地方?

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发表于 2013-11-1 09:52:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xjf20072608 于 2013-11-1 09:55 编辑

下图中的四种电容都用在什么地方?
qq.jpg
实际设计中我发现一部分人喜欢用第四种accumulation MOS cap作为补偿电容,为什么不用第二种
1.jpg ,这个电容有很明显的缺陷啊,就是电压小于零的时候电容会很小,那这样还能作为补偿电容使用吗?
发表于 2013-11-1 11:57:58 | 显示全部楼层
单向 线性
发表于 2013-11-1 14:55:59 | 显示全部楼层
如果用(b)的话,当gate端的电压接近vdd时,电容会减小,这样你在0~vdd区间的电容线性度不好。如果d,在0~vdd范围应该都是线性的。
发表于 2013-11-1 16:51:49 | 显示全部楼层
我一直喜欢用b么
从仿真看,b d曲线在右半部基本一致,左半部b大致与右半部镜像,d如LZ的图
 楼主| 发表于 2013-11-2 01:29:16 | 显示全部楼层
回复 4# feiyufox


   你是如何解决mos电容在两端电压大概等于零的时候电容很小的问题的呢
发表于 2013-11-2 06:31:30 | 显示全部楼层
回复 4# feiyufox


    b的右半部不可能和d一直,在低压的时候电容要小很多很多,如果你仿真结果一直,那说明仿真有问题
发表于 2013-11-2 10:15:04 | 显示全部楼层
第四种是MOSvar的惯用做法,高频特性好
发表于 2013-11-20 16:59:46 | 显示全部楼层




    解决不了......有这种情况时不适合用moscap
发表于 2018-2-21 12:28:15 | 显示全部楼层
在0~vdd区间的电容线性度不好
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