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查看: 3793|回复: 6

[求助] 隧穿效应仿真问题(普通CMOS管做EEPROM)

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发表于 2013-10-25 09:49:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 yqk39 于 2013-10-25 09:53 编辑

电路图如下所示,两个管子是SMIC18工艺中普通的PMOS管,直接从库中调用的,左侧管子W/L=9,右侧管子W/L=1,使左侧管子与右侧管子的面积比约为9:1
ee2.jpg
此时若在左侧电压源加10V电压,根据电容分压原理两个管子栅极应该是9V,则会发生隧穿效应;断电后电子会保持在栅极上。
我的仿真结果如下图所示,第一个波形为电压源,第二个为栅极电压:
ee1.jpg
问题1:栅极电子保持时间为什么只有几毫秒?这样完全达不到EEPROM保持数据的要求。
问题2:若在电压源加一个较低的电压(理论上不足以发生隧穿效应),但在栅极上依旧有电压下降的现象。
期待有相关经验的大神指点!
发表于 2013-10-25 11:35:41 | 显示全部楼层
spice仿真器仿不出来的
 楼主| 发表于 2013-10-25 13:23:40 | 显示全部楼层
回复 2# kwankwaner


    谢谢你的回答。
    你是说spice仿真器不能仿真隧穿效应是吧? 我了解到eeprom工艺仿真是用一个等效模型,那普通的CMOS工艺是怎么仿真的?
发表于 2013-10-25 14:05:08 | 显示全部楼层
eeprom 和標準 LOGIC CMOS 同一類嗎?
 楼主| 发表于 2013-10-25 14:16:14 | 显示全部楼层
回复 4# peterlin2010


    eeprom一般是2p?m的工艺,但是用两个1p?m的管子也可以,就是不知道怎么仿真。
发表于 2014-5-29 09:21:25 | 显示全部楼层
保持不了,那肯定有漏电。
发表于 2014-10-15 19:57:26 | 显示全部楼层
workable?
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