隧穿效应仿真问题(普通CMOS管做EEPROM)

yqk39 · 发表于 2013-10-25 09:49:59

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本帖最后由 yqk39 于 2013-10-25 09:53 编辑

电路图如下所示，两个管子是SMIC18工艺中普通的PMOS管，直接从库中调用的，左侧管子W/L=9，右侧管子W/L=1，使左侧管子与右侧管子的面积比约为9:1

此时若在左侧电压源加10V电压，根据电容分压原理两个管子栅极应该是9V，则会发生隧穿效应；断电后电子会保持在栅极上。
我的仿真结果如下图所示,第一个波形为电压源，第二个为栅极电压：

问题1：栅极电子保持时间为什么只有几毫秒？这样完全达不到EEPROM保持数据的要求。
问题2：若在电压源加一个较低的电压（理论上不足以发生隧穿效应），但在栅极上依旧有电压下降的现象。
期待有相关经验的大神指点！

kwankwaner · 发表于 2013-10-25 11:35:41

spice仿真器仿不出来的

yqk39 · 发表于 2013-10-25 13:23:40

回复 2# kwankwaner

谢谢你的回答。
你是说spice仿真器不能仿真隧穿效应是吧？我了解到eeprom工艺仿真是用一个等效模型，那普通的CMOS工艺是怎么仿真的？

peterlin2010 · 发表于 2013-10-25 14:05:08

eeprom 和標準 LOGIC CMOS 同一類嗎?

yqk39 · 发表于 2013-10-25 14:16:14

回复 4# peterlin2010

eeprom一般是2p？m的工艺，但是用两个1p？m的管子也可以，就是不知道怎么仿真。

mikeppq · 发表于 2014-5-29 09:21:25

保持不了，那肯定有漏电。

ralphtw · 发表于 2014-10-15 19:57:26

workable?

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