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[资料] 功放电路偏置引起记忆效应

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发表于 2013-10-22 22:33:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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bias induced memory effects in RF power amplifiers.pdf (916.97 KB, 下载次数: 144 )
讲述功放中偏置电路的记忆效应,和大家分享
发表于 2015-5-12 17:15:13 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2015-7-2 22:58:48 | 显示全部楼层
学习学习中
发表于 2015-7-3 00:15:41 | 显示全部楼层
非常感谢提供!
发表于 2015-7-3 13:57:36 | 显示全部楼层
非常感谢提供!
发表于 2015-7-3 15:42:28 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2015-8-5 16:46:49 | 显示全部楼层
wolaikankan  shishenmedongxi
发表于 2016-8-6 21:13:50 | 显示全部楼层
goog ,  it is kaey
发表于 2018-9-27 17:14:24 | 显示全部楼层




   有两点不明:1.对于一个双音的情况,PPT上说包络的频率(两射频频率之差)和射频频率(或者射频频率的二阶分量)的混频会叠加在3阶交调上,看起来确实是这样的,但是混频是如何发生的?

2.上述情况无法解释IMD3不对称是如何发生的,PPT中提到需要一个在包络频率下的低阻抗偏置电路,这样可以缓解不对称现象,这来的很突然,为什么一定要是包络频率下的低阻抗偏置?(尽管很多文献上都是这么说的)

3.一般的大电阻偏置似乎是不能用了,PPT中的电感偏置看起来是满足包络频率下低阻抗的要求,但是这实际操作起来又不现实,太浪费面积了。

请大佬指导一下!
发表于 2022-5-23 10:43:55 | 显示全部楼层
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