哪位大侠贴tie high tie low cell对应的schematic，加深对功能原理的理解？

peacepark · 发表于 2020-11-5 11:17:56

good mark

seuer · 发表于 2020-11-20 10:08:21

elevenyh 发表于 2013-10-22 10:53
回复 5# 729050850

你好，我在T22工艺下仿真，按照你说的这个激励信号加进去跑tran，发现TIEH有34V左右。请问前辈现在对这个电路有什么新的见解吗？

单眼皮的乖女孩 · 发表于 2021-8-17 20:48:32

mark

天是没有窗的房 · 发表于 2021-9-10 16:19:30

非常好的帖子

m8510a · 发表于 2022-9-19 11:25:57

谢谢啊

lingf91 · 发表于 2022-10-21 22:14:50

非常好的帖子，赞

soulermate · 发表于 2023-2-10 08:53:35

729050850 发表于 2013-10-6 15:12
下面的图，M1的栅极和漏极接在一起，M1工作在饱和区，起到有源电阻的作用，A点的电位为高电位，M2始终 ...

我也想问一下您的图是哪本书或者哪个文字上看到的吗？

一头小毛驴 · 发表于 2023-2-14 11:44:49

729050850 发表于 2013-10-6 15:12
下面的图，M1的栅极和漏极接在一起，M1工作在饱和区，起到有源电阻的作用，A点的电位为高电位，M2始终 ...

gate接到了drain端吧，drain和NW PSUB组成一个PN结，PN结导通只要几V，poly击穿要几百V，pn结先导通了，就不会烧到gate了

模拟电路入门者 · 发表于 2023-8-1 09:35:04

我的理解是，tie high这两个管子，在高压的时候会被击穿，所以起到ESD的作用。

东北烤面筋 · 发表于 2023-8-2 13:59:37

mark

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