请教sansen关于运放PSRR的论文的问题

323217588 · 发表于 2013-9-29 18:30:44

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对于第六个公式的正负号是如何确定的？没看明白

MOSBJT · 发表于 2013-9-29 19:20:14

本帖最后由 MOSBJT 于 2013-9-29 19:24 编辑

同问，求大神指导！！！

朱立平 · 发表于 2013-9-30 06:18:27

本帖最后由朱立平于 2013-9-30 06:46 编辑

這些理論不一定有用 (PSRR用 spice 大概跑一跑就好了 ) 因為那是假設MOS完全對稱的情況實際製造完成後根本沒有對稱因為MOS的OD(通道區域正上方的OD(poly gate 與 OD 重疊的區域),thin oxide SiO2,在晶圓廠是用乾氧化法製造一片wafer 周圍與中心的氧化速度完全不一樣所以OD的厚度不一造成MOS的 tox不一致) 本身就有梯度效應也你實際layout有很大關係是否有做matching, dummy device ? 有沒有寄生C ? 有沒有用 double guard ring (側邊隔離與底部隔離系統)? 重要是你電源(VDD, GND)要乾淨. layout上要注意供應電流的 metal線要寬(非常非常重要,要根據 FAB 製定的 metal migration & 建議電流密度值來定義寬度) 不然會限流與造成metal migration 供應 guard ring 的電位最好要用乾淨的電位理論要跟實務結合才行