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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
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[求助] 版图多电源问题求助

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发表于 2013-9-27 09:18:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大神们好!!!    小弟遇到多电源问题,在版图中使用深N阱隔离,但是加深N阱后后仿带隙基准起振,去掉就正常。我现在将深N阱包围的地方用PUSB2标识层换掉,LVS和后仿真正常。
   请问大神们这样可不可以?我们用的是tsmc工艺!
    非常感谢大家能帮帮我!!
发表于 2013-11-19 14:32:09 | 显示全部楼层
期待回复
发表于 2013-11-20 11:07:34 | 显示全部楼层
LVS正常和后仿真正常应该不是一回事儿吧。
请问用的是TSMC哪个工艺,在TSMC有的工艺PDK里,DNW NMOS是单独一种类型的,如果电路直接用NMOS而版图用DNW,LVS是不会对的。简单说就是说版图电路应该用同一种类型的器件。
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