版图多电源问题求助

syntek_yang · 发表于 2013-9-27 09:16:21

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大神们好！！！小弟遇到多电源问题，在版图中使用深N阱隔离，但是加深N阱后后仿带隙基准起振，去掉就正常。我现在将深N阱包围的地方用PUSB2标识层换掉，LVS和后仿真正常。
请问大神们这样可不可以？我们用的是tsmc工艺！
非常感谢大家能帮帮我！！

motofatfat · 发表于 2013-9-27 09:37:33

你的問題是什麼?
PSUB2通常是用來做多電源區隔的沒錯.

miaoyue1999 · 发表于 2013-9-27 09:56:00

PSUB2，区分不同的gnd，要是你把一个boclk围了一圈闭合的 n-ring，也可以不用psub2区分，关键是看command怎么写的

Rucas · 发表于 2013-9-27 10:07:00

1，LZ你想问什么？
2，LZ用的是Tsmc什么工艺？单阱还是双阱？

syntek_yang · 发表于 2013-9-27 15:14:11

回复 2# motofatfa
你好！
我的问题是：我们电路有三套电源，版图以前是用深N阱隔离，后仿不过，将深N阱隔离换成PSUB2标识层后后仿通过，这样做对流片是否有影响吧，怎么理解这个问题？
谢谢！

syntek_yang · 发表于 2013-9-27 15:14:13

回复 2# motofatfa
你好！
我的问题是：我们电路有三套电源，版图以前是用深N阱隔离，后仿不过，将深N阱隔离换成PSUB2标识层后后仿通过，这样做对流片是否有影响吧，怎么理解这个问题？
谢谢！

syntek_yang · 发表于 2013-9-27 15:16:06

回复 4# Rucas

你好！
我的问题是：我们电路有三套电源，版图以前是用深N阱隔离，后仿不过，将深N阱隔离换成PSUB2标识层后后仿通过，这样做对流片是否有影响吧，怎么理解这个问题？
谢谢！
我们用的是TSMC018RF单阱工艺。

syntek_yang · 发表于 2013-9-27 15:18:49

回复 3# miaoyue1999

你好！现在关键是围了一圈闭合的 n-ring之后，仿真不通过，现在去掉n-ring换成PUSB2了！！
这样可以吗

Rucas · 发表于 2013-9-27 17:04:35

回复 7# syntek_yang

首先，如果像你说得是单阱工艺的话，那你的深N阱是怎么出来的？？
其次，所谓的PSUB2，在工艺制造过程中是不存在的，仅仅是为了做LVS的时候，让工具区别出不同的地。

所以我给出的建议是，你仔细看看你的COmmmand File，看看它是怎么定义出不同的电源域的。

motofatfat · 发表于 2013-9-30 09:16:18

同意樓上的說法
ＰＳＵＢ２　只是用來　騙軟體　也騙自己
深井 + PSUB2 可以試試, 騙軟體也騙自己
PSUB2 無動作
N-ring 是真的有做上去
這２者實際上是不同的

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