GGNMOS的几点疑问？

ygyg100 · 发表于 2013-9-11 18:00:02

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

最近在看ESD，有几个问题请大大们指点一下：
1、对于.35以下的工艺来说，NMOS源漏之间“击穿”时，是先发生punchthrough，还是雪崩击穿？
2、GGNMOS的snapback在电压够高时一定会发生吗？还是有一定的条件？
3、snapback与punchthrough和雪崩击穿有什么关系？发生的先后顺序是怎样的？
谢谢了!

miaoyue1999 · 发表于 2013-9-17 09:37:22

个人观点：1：要是NMOS的L非常小，就会发生punchthrough，一般设计的时候L都会放大一点点，让其先发生雪崩击穿。
2：GGNMOS你要看它在什么工作状态下。
3：参考1

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] GGNMOS的几点疑问？

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

浏览过的版块

站长推荐 /1