GGNMOS的几点疑问？

ygyg100 · 发表于 2013-9-11 18:00:02

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最近在看ESD，有几个问题请大大们指点一下：
1、对于.35以下的工艺来说，NMOS源漏之间“击穿”时，是先发生punchthrough，还是雪崩击穿？
2、GGNMOS的snapback在电压够高时一定会发生吗？还是有一定的条件？
3、snapback与punchthrough和雪崩击穿有什么关系？发生的先后顺序是怎样的？
谢谢了!

miaoyue1999 · 发表于 2013-9-17 09:37:22

个人观点：1：要是NMOS的L非常小，就会发生punchthrough，一般设计的时候L都会放大一点点，让其先发生雪崩击穿。
2：GGNMOS你要看它在什么工作状态下。
3：参考1

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