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[求助] GGNMOS的几点疑问?

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发表于 2013-9-11 18:00:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在看ESD,有几个问题请大大们指点一下:
1、对于.35以下的工艺来说,NMOS源漏之间“击穿”时,是先发生punchthrough,还是雪崩击穿?
2、GGNMOS的snapback在电压够高时一定会发生吗?还是有一定的条件?
3、snapback与punchthrough和雪崩击穿有什么关系?发生的先后顺序是怎样的?
谢谢了!
发表于 2013-9-17 09:37:22 | 显示全部楼层
个人观点:1:要是NMOS的L非常小,就会发生punchthrough,一般设计的时候L都会放大一点点,让其先发生雪崩击穿。
  2:GGNMOS你要看它在什么工作状态下。
  3:参考1
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