多晶硅电阻的第三端（衬底），该接VDD还是GND啊？

ygchen2 · 发表于 2013-9-11 04:00:04

要噪声隔离的话，包nwell接gnd，
没有特殊要求的话，直接放substrate上接gnd
skiptoo 发表于 2013-9-10 10:31

登录/注册后可看大图

一般，信号参考VDD就结VDD，信号对地就接地。。。如果要求不高，就随便接。。。

skiptoo · 发表于 2013-9-11 14:54:06

回复 11# ygchen2
你的解释正确

Johnson2011 · 发表于 2014-11-5 16:16:36

我的天，这就解决了？

没有人仿真过？就tsmcN28工艺而言，n掺和p掺的电阻接不同电位阻值的影响在40%左右。

不用电费 · 发表于 2015-11-25 20:22:17

回复 6# hszgl

我最近在做带隙基准，电路仿真时候，电阻的点三端悬空，可以得出很理想的温度系数，当有链接时候，相差太多！需要修改吗？版图第三端需要链接吗？心好累啊

hszgl · 发表于 2015-11-25 21:54:26

回复 14# 不用电费

你用的什么电阻？

不用电费 · 发表于 2015-11-26 13:37:31

回复 15# hszgl

P+diff，我想了一下，画版图时候点三端就是衬底，电路图可以悬空

遥山螟 · 发表于 2016-4-12 09:44:46

我想问一下多晶硅是可以作为电阻的，吗、那么不同掺杂对其阻值会有影响吗？N掺杂和P掺杂对阻值的影响的原理是什么？是由于其内部的载流子不同吗？

[解决] 多晶硅电阻的第三端（衬底），该接VDD还是GND啊？