扩散和离子注入的不同？

cyl · 发表于 2013-8-28 15:09:56

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"扩散形成深结，注入形成浅结"是否正确？
比如一个pmos，它的nwell是扩散形成的吗？它的源漏是离子注入形成的吗？
请高人指教一下，多谢！

zoujunlin · 发表于 2013-8-29 01:41:35

扩散是利用参杂离子的自由扩散，同时存在纵向和横向的扩散，扩散的时间越长，参杂的深度和宽度都增加；但在小尺寸工艺中，要求有必要的参杂深度，同时希望很小的横向间距，这时候扩散就很难做到。
离子注入是精确控制的，注入离子的种类、注入深度都可以精确控制，同时几乎没有横向扩散，是小尺寸工的主流工艺。
在大尺寸工艺，nwell和source/drain都可以用扩散来做；小尺寸工艺，nwell/SD都用离子注入来做；而中等尺寸，出于成本考虑，用扩散来做nwell，离子注入来做SD