ICC place后利用率激增

ncx0169

如题，用ICC 做fp placement的时候只有68%的利用率，但是place做完后利用率激增到95%左右，后面的CTS无法做下去了，求各位高手指点一下！
  个人觉得可能有以下原因：1，place中做了高扇，所以插了很多buffer，多出的近30%的大多都是buffer，这个我出.v看过。
                                    2，中间有些单元使用了固定电平，即使用了TIEH/TIEL单元作为logic_1/logic_0，不知道有没有这方面的原因？
   另外，插入的单元中还有一些是NAND 单元，这个不知道是优化的结果还是怎么回事？
   谢谢！