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楼主: 星空吴

[求助] 关于MOS管gds的疑问

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发表于 2013-8-26 20:53:58 | 显示全部楼层
手册比仿真工具更可信吧
发表于 2013-8-26 21:51:36 | 显示全部楼层
手册可信。
发表于 2013-8-27 02:19:23 | 显示全部楼层



能细说说MOS管的具体环境吗?那种管子,在什么电路,如何偏置,怎么看的Rds?
 楼主| 发表于 2013-8-27 16:39:54 | 显示全部楼层


手册可信。
semico_ljj 发表于 2013-8-26 21:51




    嗯 我也持这种态度。。
发表于 2013-8-27 17:40:50 | 显示全部楼层
回复 14# 星空吴


    这个是正常现象,vds增加,由于沟道调整效应,ro先增加;vds继续增加,由于DIBL效应,ro随vds平缓;vds继续增加到很大,hot Carrier,ro迅速下降。
我们设计模拟电路是vds一般变化不大,特殊位置的vds变化很大时,又用到该管的ro保证某些性能,这就必须用L很大比如L=10um。以减弱ro随vds的变化。
发表于 2013-8-27 20:51:03 | 显示全部楼层
回复 10# 星空吴


   lamda肯定不應該等於0的  spectre的顯示不對  你先確認一下Id有沒有變化  如果Id有變化的話  ro肯定會變化
发表于 2013-8-27 22:53:40 | 显示全部楼层
書上說的都是概念 真實的MOS rds 與 Vds是非線性關係 而且隨製程溫度飄移很大
发表于 2013-8-28 06:23:14 | 显示全部楼层
回复 1# 星空吴


   你说rds会差5、6倍   我想问,你仿真的时候,管子宽长给的多少? Vgs给的多少? 看gds的时候,Vds是从多少V变化到多少V,变化是5、6倍?
发表于 2013-8-28 06:37:19 | 显示全部楼层


嗯 我也持这种态度。。
星空吴 发表于 2013-8-27 16:39



就算手册是对的,如果设计中看到的不一样,弄不明白看到不同现象的原因,对于不对也就没有多大意义了。。。可能还是需要搞明白看不到真实值的原因。但好像楼主,并不是太有兴趣细说他的环境和做法。。。所以只好由他瞎猜了。。。
 楼主| 发表于 2013-8-28 14:18:12 | 显示全部楼层
回复 18# feynmancgz


    L=1um,VGS是固定的 都在饱和区,VDS从300mV到600多.根据1/gds计算Rds应该靠谱吧
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