双极工艺的两级运放怎么设计呢？？？？

wjx197733 · 发表于 2013-8-15 13:57:58

回复 wjx197733

a.设计时，是使三极管工作在饱和区？不是放大区？（因为饱和区beta=ic/ib最大？）； ...
istart_2002 发表于 2013-8-15 11:40

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a.不好意思，应该是饱和区，和MOS管搞混了
至于b.，我也看不出来，建议您画出等效电路，推导出传输函数，然后通过仿真来确定。

istart_2002 · 发表于 2013-8-15 14:09:15

a.不好意思，应该是饱和区，和MOS管搞混了
至于b.，我也看不出来，建议您画出等效电路，推导出传输函 ...
wjx197733 发表于 2013-8-15 13:57

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工作在放大区是吧，因为放大区的IC是不变的~

122013137 · 发表于 2016-4-22 10:14:46

画出等效电路，推导出传输函数，然后通过仿真来确定

ericking0 · 发表于 2016-4-24 09:14:14

一开始做CMOS，再用BJT的话，
我人为最大的不习惯在于基极电流

122013137 · 发表于 2016-4-24 13:58:30

画出等效电路，推导出传输函数，然后通过仿真

模拟ic攻城狮 · 发表于 2024-12-29 20:00:06

wjx197733 发表于 2013-8-15 09:28
回复 6# istart_2002

前辈您好，我最近在设计bipolar的一个运放，目前遇到的问题是bipolar在设计的过程中有没有像mos管vdsat一样的值可以表征在过某个值的电流的情况下管子的发射结面积或者个数m是否合理，如果存在这种值，应该如何进行扫参呢

wjx197733 · 发表于 2024-12-30 21:48:32

模拟ic攻城狮发表于 2024-12-29 20:00
前辈您好，我最近在设计bipolar的一个运放，目前遇到的问题是bipolar在设计的过程中有没有像mos管vdsat一 ...

保证集电结反偏，发射结正偏的前提下，调整支路电流，让管子的beta值最大就行

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