40nm工艺与其他工艺相比版图设计中有哪些不同

rjxvicky · 发表于 2013-8-21 17:12:40

40nm更注重一些效应，WPE、OSE、PSE，match很重要，加DUMMY和不加DUMMY差别较大制程的rule效果比较明显！

zixi_2012 · 发表于 2013-8-28 17:30:04

进来学习

jueduilk · 发表于 2013-8-29 08:51:24

7#和10#已答。。。

tvsz123456 · 发表于 2013-9-12 22:08:14

学习学习

lyf821114 · 发表于 2013-9-17 17:56:45

关注一下，我目前只知道WPE STI,不知道其它效应，学习中。。。。

xiuqi180 · 发表于 2013-9-24 20:20:52

进来学习下

mangotango · 发表于 2014-2-24 15:06:55

any libs

独自摇滚 · 发表于 2014-3-5 16:13:25

我觉得你要问具体一点的

nathan_ruan · 发表于 2014-3-6 23:28:27

130nm 往下  wpe 影响显著增加
90nm往下 lpe 对器件的影响很大； DFM  对yield影响较大： multiple vias aa、poly 、metal density
  很赞同2楼说的，良好的layout习惯！此外要补充一点：lpe不仅是好习惯

ddfyzz · 发表于 2022-11-23 12:54:39

请问一下一般tsmc的40nm工艺与180nm工艺从失配参数看，哪个更差一些

[求助] 40nm工艺与其他工艺相比版图设计中有哪些不同