能否使用IBIS里的寄生元素及DIE容量来模拟PDN？

nelsonys

各位好，

我再尝试使用2D仿真软件来取得PDN的Target Impedance, 一般板级能模拟到最高频率为电源和GND的plane pair。
得到板级S-parameter后，我能否导入IBIS里的Cpkg, Rpkg, Lpkg, Ccomp的数值，把他们接到PDN的S-parameter，
再走一次S-parameter的计算来获取总的Target Impedance?
这样的做法正确吗？

我得到的仿真结果与实际理论不相符。一般我们认为高频率(100MHz)以上的频段我们只好让Cdie来帮我们去耦，
我得到的结果是Cdie在高频段呈现非常大的反共振现象，根本没有做到去耦的工作。

还请指点纠正。
谢谢

不无道理

做为近似估计应该可以，不过你说的步骤中可能出现问题的地方会很多。

比如什么叫 再走一次S-Parameter的计算？是指将集中参数元件加入到版图中再进行抽取吗？

还有需要注意到的是Cpkg, Rpkg, Lpkg, Ccomp与IO电路特性也有关系，你的分析端口需要明确是从哪儿看进去的目标阻抗。

仿真结果和实际理论不相符？Cdie 的确是用来解耦高频段电流波动的，可前提是在正确设计下才能发挥作用。你的仿真中是否用了正确的L、R值都需要确认。