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hinker · 发表于 2013-7-16 10:04:53

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请问高压NMOS的ESD和低压NMOS的ESD，外围的N型guard ring能共用么？共用的话会有什么风险
谢谢

jian1712 · 发表于 2013-7-19 12:09:05

不建议共用，对于HV ESD,需要有自己latchup guardring,且nring连接到HV结点
HVESD pring hvnring pring lvnring pring LVESD
不过可以尝试把NRING去掉，只留pring, 多做些test chip, 才能找到最节省面积的layout方式，新工艺建议遵守design rule.

拙见而已，谢谢

皮皮鲁_lps · 发表于 2013-10-15 16:25:11

最好不共用吧

enian · 发表于 2014-10-1 01:51:33

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