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楼主: liuzhichun

ESD保护和防天线效应用的Diode是一样么?原理有什么区别?

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发表于 2015-1-31 14:14:25 | 显示全部楼层
受教!
发表于 2015-9-23 14:59:41 | 显示全部楼层
回复 15# tiancai2008

但是如果是gate接到metal1,然后通过metal2走长距离之后,再与S/D相连,显然这样的设计风险会小些
这种设计的天线效应不能够降低,因为在做metal2的时候,已经有via跟metal1连接了,这样metal2积累的电荷还是会通过metal1,传到gate上,damage gate
天线效应是在生产过程中的产生的现象,“通过metal2走长距离之后,再与S/D相连”这是不会产生天线效应的,为什么?因为metal2与S/D相连,S/D是扩散区,metal与扩散区相连是不会产生天线效应的,因为相当于metal与反向二极管相连,在gate击穿之前,早就泄放掉了。更何况,工艺中,每层metal做完,都是要有放电步骤的,所以是不会有天线效应的。一般情况下,反向二极管的击穿电压是6-8v,而栅的击穿电压是10v以上。
发表于 2015-9-23 15:36:07 | 显示全部楼层
回复 23# 蓝风紫心

现在薄氧的击穿电压也就是2~3V
diode反向是有漏电的,但是不会到击穿电压的
发表于 2017-9-4 15:02:24 | 显示全部楼层
受教了。
发表于 2021-11-9 16:52:23 | 显示全部楼层
挖挖挖
发表于 2023-3-9 10:42:44 | 显示全部楼层
mark
发表于 2023-10-20 08:20:48 | 显示全部楼层


tiancai2008 发表于 2010-9-1 12:43
请问,要避免antenna effect, layout routing应该怎么处理就不需要加antenna diode


接到随意的扩散区也是一样的效果,最好metal1直连,随意的扩散区与衬底之间也有反偏的PN结

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