为什么第一个POR比第二个在各种PVT下波动大

istart_2002

第一个：

第二个：


RT~~~~

jiang_shuguo

回复 14# istart_2002


    你没有理解前面两位说的意思，他们说的都有道理的，对于闭环系统增益越高，PVT的影响越小。但是这个por是大信号开环，我不认为这个是增益的问题，而且这个增益的计算不好说吧。还有后面哪个回答你的，他说你第二个的最小工作电压低，这样也就是电源的摆幅更大，这个就类似snr的理解，因此PVT会好点。这个是我对上面两个人的回答的理解。你这个东西有那么重要，或者那么敏感么？做的不要很准把？满足指标就好。

wind2000sp3

我觉得是直流增益的问题，第一个太小了。

jiang_shuguo

回复 2# wind2000sp3


    你说的是哪里到哪里的直流增益？

istart_2002

回复 2# wind2000sp3


   是不是因为第一个有电阻，第二个只有MOS的偏差？

istart_2002

回复 2# wind2000sp3


   第二个M42是起什么作用呢？

wind2000sp3

回复 3# jiang_shuguo


    我说的是从VDD到第一个invertor的输入端的直流增益，更准确点说应该是大信号增益。

wind2000sp3

回复 4# istart_2002

第一个POR的增益是VDD*200K/2M*Gm*ro;但是第一个电路的Gm太小了，所以我们可以假设Gm*ro比较小，比如说40倍。这样也就是说invertor的输入端翻转2.5V，需要VDD变化2.5/40*2M/200k=10V; 因此工艺偏差一点点就会在VDD上有明显的反应；

第二个POR的增益是（VDD-Vthn-Vthp）*Gm*ro，第二级的增益起码要比第一个电路的第二级要大，比如说60倍。这样分析起来，invertor的输入端翻转2.5V，需要VDD变化2.5/60=42mV；因此工艺偏差一些不会再VDD上有明显的反应。

在集成电路里面，实现目标值与工艺参数（PVT）无关几乎都是用大直流增益的电路。因此我觉得先要验证这一点。

istart_2002

回复 7# wind2000sp3


   不对吧 我们是看第一个反相器输出随PVT的变动，不是VDD的变动；按你的结论，第一个电路VDD变动很大，输出端才会受影响，不是好事么~

istart_2002

回复 7# wind2000sp3


   第一个是通过PMOS和NMOS的电流比较控制反相器输入端的电平高低的；第二个是VDD通过PMOS给充电，达到反相器的翻转电平；是不是I和R更易受PVT的影响呢~~~~