谢谢您的回复!我主要是想通过gm/ID vs ID/(W/L)和模拟退火算法来优化设计,但是我不确定每次优化得到的管子尺寸、偏置结果能不能使得电路静态工作点适合。如果有某种模型可以预测这样的静态工作点(主要是指管子VDS),那么我就可以用这样的约束来实现自动综合,解出来的宽长比,偏置也就自动的满足DC偏置。
“An MOS transistor model for analog circuit design”里面的ACM模型好像有讲到VDS的模型公式,里面通过反型系数来计算VDSsat,还有公式计算VDS,但是关乎正反向电流模型,与VP有关,程序不知道怎么弄,感觉很难。
另外“sizing of cell-level analog circuits using constrained optimization techniques”、"synthesis of high performance analog circuits in ASTRX/OBLX"中关于DC operating point 综合,似乎提到只要满足KCL,是否就可以表明管子工作在饱和区。只要将上面管子和下面管子都等效为电流源,检测上面电流和下面电流是否满足KCL,假如满足则说明DC偏置合理?
您说电流镜搞定静态工作点,是不是通过加入一个电流镜来转变偏置电流源和需要偏置的电路之间宽长比的不一致?