RF layout 不需要多围guard ring 吗？

zhuyujun · 发表于 2013-5-10 16:24:10

回复 9# alice_xyf

学习了，谢谢，你家的小孩很可爱。

Evanpeng · 发表于 2013-5-11 03:15:39

你应该和你主管再讨论。搞清楚这个电路的结构再说。layout是基于电路结构的。
不能单纯的说打guard ring多还是少。
你的vdd有没有分开，就是PA，LNA， VCO的power supply有没有分开？

我觉得到地应该专门用一层金属。pad的地应该多，这样的话，打guard ring到nmos没有关系。

semico_ljj · 发表于 2013-5-11 11:44:09

不单单围了就行了！要分析来源和解决办法，同时涉及到成本

729050850 · 发表于 2013-5-11 13:04:01

本帖最后由 729050850 于 2013-5-11 13:08 编辑

"负责layout的主管说RF layout只要能run 过 latch up 就能，
尽量少围 p or N guarding ,他认为多围了反而会引入噪声，电源和地都是不干净的。
对于MOS来说也只要像standard cell那样，打一点点就可以了。"

尽量接干净的电源地，就算是电源和地都是不干净的，围成环总比打一点点噪声小啊
少围环只打一点点这样的说法真是第一次听说，不会是泰凌微电子的主管吧？

alice_xyf · 发表于 2013-5-13 08:43:36

你应该和你主管再讨论。搞清楚这个电路的结构再说。layout是基于电路结构的。
不能单纯的说打guard ring多 ...
Evanpeng 发表于 2013-5-11 03:15

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他是针对所有的RF layout来说的，没有针对哪个具体的电路，建议我们少打；

alice_xyf · 发表于 2013-5-13 08:49:09

"负责layout的主管说RF layout只要能run 过 latch up 就能，
尽量少围 p or N guarding ,他认为多围了反而 ...
729050850 发表于 2013-5-11 13:04

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他觉得如果围成环了，假如有信号线要走线的话，会和guard ring 有交叉，即使信号线是metal2, 或metal3或者更高层次的metal,
都会将guard ring 上的噪声引入。

其实我的想法和你有点相同，我觉得MOS最好是成环围guard ring；

现在我有时都不知道该画MOS的第四端了。特别是PMOS 和NMOS 之间

九品芝麻狐 · 发表于 2017-4-14 20:09:11

如果不围保护环的话，不会有更严重的噪声吗，围和不围哪个更加严重？

九品芝麻狐 · 发表于 2017-4-14 20:39:16

回复 2# JoyShockley

如果RF工艺不加保护环的话，会不会影响比有环大得多，能详细说明以下不加环比加环还好的原理吗

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