分享一篇挺好的外文的压电谐振器论文给大家

亲爱的伽利略

《High-Frequency Thin-Film AlN-on-Diamond Lateral–Extensional Resonators》

     该研究团队在AlN薄膜上制造了低阻侧向伸展谐振器，AlN直接淀积在抛光的UNCD薄膜上。UNCD大的声速用来增加这种谐振器的频率。相比于在硅上制造的，TPoD谐振器的谐振频率增加了两倍。采用有限元分析，测得多梁的29次TPoD薄膜谐振器的最小动态电阻是22Ω，在888MHz时f · Q乘积2.72*file:///C:\Users\DELL\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps_clip_image-5846.png。测得这种TPoD谐振器的TCF为-9.6ppm/file:///C:\Users\DELL\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps_clip_image-13137.png，相对于硅上器件来说要低得多。该团队制作的TPoS谐振器相比于无衬底的侧向伸展谐振器来说，具有卓越的功率处理能力和鲁棒性。 用FEM研究了谐振器的横向尺寸和支承框架对谐振器的影响。给高次谐振器增加梁数能同时提高Q值和功率处理，降低失效量，IL也能有很大改善。但对于确定的长度有最适宜的阶次谐波，此时有最大的Q值和最小的IL。从133.2μm长TPoD谐振器来看，29次谐波是最佳点。为了降低IL，须增加谐振器动态电阻，可以增加谐振器的长度。然而，寄生模式也增加了。     非常小的UNCD晶粒形成非常光滑的表面，这方便于淀积高方向性的AlN。挑战在于，UNCD的YM随淀积温度增加，平均晶粒尺寸也增加了。可增加抛光步骤解决。在薄膜中增加淀积温度同样降低了残余应力。f · Q乘积相比于在硅上制造的来说提高了1.5倍，这是由于增加了谐振频率。相比于制造在硅上或没有衬底的谐振器，TPoD谐振器显示了更低的TCF值。另外，在不同功率级上检查了谐振器的非线性行为，相比于没有衬底的压电谐振器有更大的功率处理能力。

pqzhu88

这么好的东西,顶啊

pqzhu88

正好需要~~!!支持支持，非常感谢

ather

给高次谐振器增加梁数能同时提高Q值和功率处理，降低失效量，IL也能有很大改善。但对于确定的长度有最适宜的阶次谐波，此时有最大的Q值和最小的IL。