产业大腕云集深圳 共话闪存与移动技术的世纪交锋

智慧棒

2013年以来，智能手机、平板电脑厂商都或多或少遭遇存储器件缺货，甚至有人断言2013年整年存储器件都将缺货，对此，BIWIN集团董事长孙日欣指出：“存储器件目前已成智能手机平板电脑关键组件，直接关系整机的成本，而纵观Flash的发展，其每次工艺的变化都会带来新的应用商机，能最早解决新产品应用的企业，无疑会为公司带来更好的利润。BIWIN认为存储器件在2013年的长期短缺不太可能，不过上半年可能会经历比较大的缺货。”

                               
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集邦科技记忆体与存储事业部协理杨文得在《2013 NAND Flash市场展望》演讲中指出，从供需来看，2013年全球闪存市场营收会增长25亿美元，达到250亿美元规模，同时，研究显示，2013年的闪存供需基本平衡，供应增长还略高于需求2个百分点。

                               
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图3 2013年 NAND Flash市场供需分析

但是，为什么在终端应用市场，存储器件会有如此大的波动呢？孙日欣分析这是因为终端发展速度远远高于存储器件的产能增长，“智能机平板电脑市场今年的增长可能会达到200%，而Flash产能扩增也就是30%左右，这中间的差距太大了，导致市场供需失衡。”他指出，“目前，三星基本自己供应自己的产品，只有东芝和美光对外供应，所以虽然宏观上平衡，但到微观市场出现失衡。”

                               
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图4 闪存市场三国争霸局面

杨文得指出，目前闪存市场是三国争霸局面，由于闪存工艺升级很快，厂商需要投入大量的财力维持产能，去年闪存价格一直处于下跌，生产厂商苦不堪言，厂商需要基本的利润维持，所以东芝还将产能调低30%，由此看来，2013年的存储供应短缺将呈现常态化，他预测今年第三季第四季还将出现供不应求的局面。
不过，作为本土eMMC和eMCP主要供应商，孙日欣认为由于BIWIN和全球两大Flash供应商东芝和美光保持着长久紧密的合作，是其最重要的客户，而且BIWIN早已制定了应对短缺的策略，所以，BIWIN的eMCP和eMMC产能相对充足，可以确保供应。“我们的eMCP 是国内第一个量产的，目前已经在和多个手机平台进行配套验证，很快采用我们eMCP 的智能手机就要面市了。”孙日欣强调。“我们刚和东芝高层进行了接触，在供应方面可以有保障。”
孙日欣透露，BIWIN已经在研发最新的POP封装技术，会把存储器件和更多其他器件封装在一起，这样可以为最新的小型化设备如类似iWatch、可穿戴式设备提供支持。“我们会不断投资新技术，关注新技术的发展，努力保持技术领先性。”孙日欣表示。“BIWIN举办此次高峰论坛的初衷也是希望通过这样的论坛为系统厂商设计人员带来思维的冲击和价值的参考，也希望通过这次论坛推动产业链的升级。“对于本土企业来说，做低端只能糊口做高端才能发展，不能总在垃圾中找吃的。”他精辟地概括。
二、 Nand Flash与DRAM技术未来将如何发展？

                               
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图5 东芝半导体技术统括部存储应用技术经理康敏宣分析NAND Flash未来发展

如今半导体技术飞速发展，作为存储中坚的NAND Flash和DRAM技术未来将如何发展？NAND Flash发明者东芝半导体技术统括部存储应用技术经理康敏宣独家披露了未来发展战略。
首先他认为NAND Flash未来的应用领域将更加拓广，“估计今年的NANDFlash总需求量会达到600亿GB。”他指出，“除了在手机平板超极本领域应用外，汽车电子、服务器的应用也很大。”
他表示东芝的策略是不断开发先进的工艺技术来提升产能，缓解供应压力。如东芝是第一家推出19nm产品的公司，“未来，随着工艺技术发展，东芝的发展方向是两个，一个是大容量存储，如19nm工艺产品，不过这个往下发展难度很大，所以，东芝会在明后年推出POST-NAND的产品，也就是3D NAND产品，接下来是POST-POST NAND。另个方向是东芝会投资发展磁阻内存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技术， 它将替代现在的DRAM，磁阻内存和DRAM内存采用了完全不同的原理。DRAM内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的，它不仅需要保持通电，还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则完全不使用电容，它采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向，下面的导体的磁致电阻就会发生变化。电阻一旦变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。
他最看好的明星产品是自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“现在手机中的DRAM，断电后不能保存资料，而且功耗很高，但MRAM没有这个问题，而且它的读写速度非常快，而且理论上它的读写刷新是无限的，所以我们非常看好这款产品，我们希望用MRAM代替现在的DRAM。”他指出。
另外他特别强调东芝的所有NAND Flash产品都在日本岩手县有的第五座NAND型闪存(Flash)工厂生产，以确保向市场提供可靠稳定的产品。
三、 智能手机如何差异创新？

                               
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图6 博通公司销售总监罗旭杰分析博通的创新策略

目前，智能手机市场火爆但智能机同质化日益严重，如何差异化创新？博通公司销售总监罗旭杰认为，创新就是要给用户更好的用户体验，博通公司认为用户体验来自几个方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更稳定， 二是如何共享流媒体，三是给用户更快的手机上网体验。“从2012到2017年，数据增长非常快，有13倍之多，其中多数是视频增长，未来在视频方面大家会分享的更多，因此，5G WiFi技术会非常热门。”他指出“5G频段可以提供更高的性能，也可以连接更多的设备，覆盖范围也会增大。”，
另外他认为NFC技术也会激发更多创新应用，例如一些轻触即用（Tap play）的技术，可以方便地把智能设备连接起来。

                               
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图7 NFC应用普及

他认为4G LTE技术会很快应用，因此，博通利用高集成的优势推出针对4G的方案，例如BCM21982，它支持五模20个频带，不但集成了WIFI蓝牙还集成了电源管理和射频电路，此外体积还缩小了30%！

                               
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图8 Marvell公司移动通信事业部产品市场总监吴慧雄

在中国，千元智能机是一个标杆性产品，Marvell公司移动通信事业部产品市
场总监吴慧雄认为千元智能机推动了中国3G市场迅速发展，不过，千元智能机的配置在不断变化不断走高，他认为2013年千元智能机的主流配置将是5寸QHD电容屏，四核处理器，主频在1.2GHz左右，能支持 21M HSPA+ ，支持500万像素摄像头，双卡双待等。针对这个配置，Marvell推出四核单芯片方案PXA1088，它基于Cortex A7，号称是首款支持TD和WCDMA全球标准的四核单芯片方案。“与竞争对手相比，我们的方案优势很明显。”他强调。

                               
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图9 主流智能机四核平台对比

另外他特别指出，在改善用户体验方面，一定要注意存储器带宽和总线速度，这些和屏的显示都有关系。2012年，智能手机领域多核大战风云变化，从单核到双核只用了半年时间，那么未来四核处理器会很快被八核处理器取代吗？吴慧雄认为，基于A7的四核处理器会在千元主流机方面停留一年左右，因为相应的多媒体内容和GPU都需要改进。