求助一个电容充电的问题~~~~

lovexxnu · 发表于 2013-4-11 02:56:37

回复 18# lgy747

看你这回复，估计也就是个半瓶子醋，来电实际的吧

istart_2002 · 发表于 2013-4-11 10:45:12

本帖最后由 istart_2002 于 2013-4-11 11:14 编辑

回复 16# kwankwaner
根据建模的结果，CX电压的变化是随着CMOD电压升高变化的；
不过CMOD到达1.2V后，不是像过去一充电一放电的，这样有什么问题么，或者跟原方案比有什么优势么？

zhifang · 发表于 2013-4-11 12:25:51

回复 22# istart_2002

其实你的仿真结果已经得到正确的图像了，只是可能你没理解正确。第一幅图Cmod平了之后才是正常的工作模式。
Cmod电压达到Vref之后，假如说后面的sigma delta正常工作，会保证这点电位持续保持在Vref，这样每次充电过程外门感应电容的下极板都会从Vdd降低到一个确定的电位即Va=Vref+Vfd（二极管的正向导通电压），这样每次传导过来的电荷为Qi=Cx*（Vdd-Va），我猜这应该是这个技术的关键，每次转移电荷同外部电容成正比关系，从而解决了大多数电容检测中反比例关系这个头疼的问题。至于这个电荷转移到Cmod后，再经过sigma delta给放掉，为了保证前述Cmod电压为Vref，需要sigma delta放掉同样的电荷，这样sigma delta的输出就相应的跟输入电容产生映射关系。
不知道上述解释是否让你满意，具体工作过程可能还需要更多的电路细节。
btw，楼主可否透露一下该专利是哪家公司的（cypress？）

zhifang · 发表于 2013-4-11 12:31:15

回复 1# istart_2002

不管怎么说，还是得感谢楼主分享！
这个图值得收藏下来！

kwankwaner · 发表于 2013-4-11 13:37:46

回复 22# istart_2002

如果电压变了，那就不应该是线性的了，之前分析的就是错的了？你还是传上专利来看看吧。后面的波形应该是充电和反馈放电作用的结果。

istart_2002 · 发表于 2013-4-11 14:15:15

本帖最后由 istart_2002 于 2013-4-11 14:20 编辑

回复 23# zhifang

到达Vref后是先降到VREF，又充电再降到VREF以下，又跳到到一个电压保持住，又充电再放电到vref以下，周而复始；现在的方法CX变大时，CMOD充电变慢，位流脉冲的占空比降低；原来的方法位流脉冲的的占空比与CX成正比的；正比有什么优势？
是这家的专利。

istart_2002 · 发表于 2013-4-11 14:17:24

回复 25# kwankwaner

Capacitive field sensor with s ...

zhifang · 发表于 2013-4-11 14:30:19

回复 26# istart_2002

正比就意味着你的AD数据和Cx成正比，而实际上Cx=Cp+Cs，其中Cp是固定的寄生电容，Cs是手指触摸后的感应电容，对于不同的port而言，Cp可能不一样，如果目前这种正比关系，Cs实际上对应的数据量就是ADC的数据的变化量，这在后面数据处理的时候是很方便处理的，和Cp是多少没有关系；
如果是反比关系，一种简单的做法就是把双曲线在某一小段区间内近似为线性关系，但是这里面有一个问题，那就是在不同的区间内，这个近似的线性关系不一样，换句话说，就是会受到Cp具体值的影响。所以如果是倒数关系，可能需要在外面对port进行电容补偿，以确保不同port的Cp是近似相同的。

istart_2002 · 发表于 2013-4-11 15:50:23

本帖最后由 istart_2002 于 2013-4-11 16:08 编辑

回复 28# zhifang

那整体来看，这个结构有哪些优点呢？

zhifang · 发表于 2013-4-11 16:22:27

回复 29# istart_2002

这个问题我就很难准确回答你了。如果你是做模拟的，建议你去请教一下你们数字算法的同事打算后面怎么处理这些数据，做哪些运算，他们希望你的数据是什么样子的；弄清楚这些，你也许就有答案了！

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