低压带隙基准中的放大器

yuanyuan0816 · 发表于 2013-3-24 10:17:50

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采用TSMC350nm的工艺，设计基准低电压为850mV，但是仿真结果在tt工艺角下，正常，但是在其他工艺角下仿真，输出为电源电压3.3，发现是放大器在其他工艺角下截止，请问这放大器如何仿真呀？电路的结构如图所示，未命名.bmp

，请教各位高手呀！

hszgl · 发表于 2013-3-25 22:27:52

说明你的放大器本身就不够robust。

widlarfan · 发表于 2013-3-26 01:25:18

You didn't size up the devices in right region.

fishinger1999 · 发表于 2013-4-5 22:13:35

设计太不强壮了

perfect_ic · 发表于 2013-4-5 22:28:36

你应该先设计好运放，再放到bandgap里面。

yangcy10 · 发表于 2013-4-6 13:11:51

bandgap启动电路是否正常工作？跑瞬态仿真看看，运放要先启动啊，仔细分析一下~

ANGELJJAY · 发表于 2013-4-7 21:04:37

我最近也在弄这个电流模式的vref，起初就存在tran仿真的启动问题，后面，把偏置电流调整了下就ok了，但是，差分对，是工作在亚阈区，你的，是饱和区还是亚阈区呢？

yuanyuan0816 · 发表于 2013-4-12 21:17:34

请问有没有这种自偏置放大器的资料呀?

人生豪迈 · 发表于 2013-4-20 20:44:15

3楼正解，对于这个电路，我认为放大器电路的mos管都应该工作在饱和区，可能你的这个电路偏置部分有问题，仔细看一下器件的工作状态吧．

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