在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3373|回复: 0

[求助] 关于BJT管饱和压降的问题

[复制链接]
发表于 2013-1-24 19:12:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
BJT的CE之间作为一个高阻的电阻实用的时候,在CE之间有个饱和压降Vce(sat)大约是0.1到0.2V。但是这个时候。BE结是正偏的。BE之间的压降跟参杂有关,但是由于对数的关系,在0.6至0.8之间。这样BC结之间就是正偏的。BC结正偏为什么还会有高阻呢?(CE之间高阻)。比如在实用Bicmos工艺的时候就用到了,BJT的饱和压降小,本征电阻高(这个电阻是厄利电阻吗)的优点。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-19 14:59 , Processed in 0.015027 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表