在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 7864|回复: 5

[求助] 关于SMIC13下一些层的意义

[复制链接]
发表于 2013-1-22 22:31:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 uestc_xu 于 2013-1-22 22:33 编辑

在SMIC13工艺中DG,CT层是什么意思,在半导体制造工艺中,这些层又是怎么起作用的。
发表于 2013-1-23 08:10:15 | 显示全部楼层
汗,,这些东西还是看文件吧。
发表于 2013-1-23 14:53:22 | 显示全部楼层
需要看opus.map或者tf文档
发表于 2013-1-23 21:38:25 | 显示全部楼层
dg : dual gate , 就是高压的od层,比如1.8/2.5v 的od区域,gate区域,
ct: contact啊, 到处都是的,
 楼主| 发表于 2013-1-24 10:07:08 | 显示全部楼层
回复 4# icfbicfb


    od是什么意思啊。1.8V,2.5V就算高压了??记得毕设做的IGBT有2500V也没有这个东西啊。。dual gate是指有双层gate吧。那在制造工艺中他是哪一步呢?怎么实现的,有什么作用。能大致讲下原理吗?或者告诉下什么地方能查阅。
发表于 2013-1-24 11:02:10 | 显示全部楼层
OD是T的叫法,oxide diffusion,SMIC中好像叫AA(active area)?按照斑竹的解释DG,是Gate为了适应更高的VT,是栅氧更厚的那层,做两层栅氧?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 12:08 , Processed in 0.019996 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表