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[求助] 关于SMIC13下一些层的意义

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发表于 2013-1-22 22:31:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 uestc_xu 于 2013-1-22 22:33 编辑

在SMIC13工艺中DG,CT层是什么意思,在半导体制造工艺中,这些层又是怎么起作用的。
发表于 2013-1-23 08:10:15 | 显示全部楼层
汗,,这些东西还是看文件吧。
发表于 2013-1-23 14:53:22 | 显示全部楼层
需要看opus.map或者tf文档
发表于 2013-1-23 21:38:25 | 显示全部楼层
dg : dual gate , 就是高压的od层,比如1.8/2.5v 的od区域,gate区域,
ct: contact啊, 到处都是的,
 楼主| 发表于 2013-1-24 10:07:08 | 显示全部楼层
回复 4# icfbicfb


    od是什么意思啊。1.8V,2.5V就算高压了??记得毕设做的IGBT有2500V也没有这个东西啊。。dual gate是指有双层gate吧。那在制造工艺中他是哪一步呢?怎么实现的,有什么作用。能大致讲下原理吗?或者告诉下什么地方能查阅。
发表于 2013-1-24 11:02:10 | 显示全部楼层
OD是T的叫法,oxide diffusion,SMIC中好像叫AA(active area)?按照斑竹的解释DG,是Gate为了适应更高的VT,是栅氧更厚的那层,做两层栅氧?
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