《模拟集成电路设计精粹》中的一个问题。

xxgeneral · 发表于 2013-1-7 20:26:10

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大家好！

我在看《模拟集成电路设计精粹》一书，中文版。在17页，书中提到
gm/Ids约为4.2V^-1
我通过GM公式，以i=8为参数计算出来，然后推算gm/Ids，约为8.3V^-1。与书上的结果不同。

请问，我在哪个地方错了？

附图：

feynmancgz · 发表于 2013-1-8 20:54:52

You are right. gm/Ids can never get that low.
When Vgs-Vt = 0.2V, gm/Ids is around 7-8

feynmancgz · 发表于 2013-1-8 21:03:39

Correction :
If in ultra-deep submicrometer tech and Vgs-Vt is large, it could be that low
but in sansen's book, when Vgs-Vt = 0.2V, it can't be that low
it is about 8, means you are right

wxliym · 发表于 2013-1-8 22:49:45

学习，多谢～～～～

selfsalvation04 · 发表于 2013-1-8 22:57:12

再好好想想

jxjxhwx · 发表于 2013-1-8 23:08:36

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

xxgeneral · 发表于 2013-1-10 15:51:12

回复 3# feynmancgz

Hi, feynmancgz
十分感谢你的指教！

szyacj · 发表于 2013-1-17 09:39:54

2/4.2=470mV，这个vdsat确实有点大，可能写错了吧

wuziqiang · 发表于 2013-10-1 10:52:34

应该是你理解的问题吧？

lxc531 · 发表于 2014-3-21 10:49:10

理解的问题

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	发表于 2013-1-8 23:08:36 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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