关于MOS管作去耦电容（decoupling cap）的问题

azhen1987 · 发表于 2012-12-21 17:48:04

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一般情况下mos管作decoupling电容，如果N管的话，其栅极接VDD，其余三端接GND就可以了。但是，在低压情况下，比如VDD=1.1V，就不可以这样直接接，为什么？应该怎样为低压情况加decoupling 电容？谢谢大家帮忙。

semico_ljj · 发表于 2012-12-21 20:02:51

“但是，在低压情况下，比如VDD=1.1V，就不可以这样直接接”这个不对吧！可以的

etiet · 发表于 2012-12-21 20:15:00

是不是因为低压下，MOS管寄生电容变小了，decoupling效果不好，用native管可以更好点。

alence · 发表于 2012-12-21 20:31:21

受教了，谢谢楼主共享

ygchen2 · 发表于 2012-12-21 22:57:47

本帖最后由 ygchen2 于 2012-12-21 22:58 编辑

是不是因为低压下，MOS管寄生电容变小了，decoupling效果不好，用native管可以更好点。
etiet 发表于 2012-12-21 20:15

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decoupling是靠寄生电容吗？好像栅电容为主吧，而且低压管单位面积栅电容应该相对于高电压管更大。
不知应该如何理解。

mhleu · 发表于 2012-12-22 11:11:46

當然是使用gate電容,其容值與nmos的Vth高低有關,通常gate電壓大於Vth之後,容值便會逐漸呈現穩定不變!

semico_ljj · 发表于 2012-12-22 11:13:17

decoupling 只要使用的是VDD，都是>>Vth的所以应用起来没有问题

yohuang · 发表于 2012-12-22 15:31:20

ＤＣＡＰ设计里面有几个重要参数，沟道电阻R和电容.　ＤＣＡＰ从性能角度看,　Ｒ越小越好,　如果电压比较低沟道不是在线性区,　那么R就很大,　也就是说RＣ很大,　对于电源波动的响应就很慢,　也就起不到DＣＡＰ的作用.　所以，电压高的时候性能不错，　当电压降低了,　性能就不行了.

xuehaiwuya · 发表于 2012-12-22 16:53:06

楼主要把条件讲清，比如采用MOS的类型，Vth是多大，只要VDD>Vth，gate capacitor是满足要求的，如果VDD比较小，电容特性会较差

ksg12 · 发表于 2012-12-22 17:28:48

既然使用栅氧电容，够到导通是必须的，所以栅极电压必须大于Vth。同时，由于够到电阻的存在，整个器件模型相当于电容串联电阻，当栅极电压小的话，此值会变大，分析即可！

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