请教一个问题

hetiandemeng017

回复 10# math123 不出名的课件也就算了，清华华成英的课件，而且到处可见copy的，都这么写。虽然我查阅资料未果，依然不敢轻易否定，你说呢

hetiandemeng017

我终于找到答案了。

首先，运放（包括比较器）的瞬态响应应该分为两种情况：
1小信号时，和下图基本电路描述的一模一样（摘自razavi的《模拟CMOS集成电路设计》一书），

                               
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就是输入信号越大（也就是哈佛art一书中的所谓overdrive过驱动电压），翻转速率满足指数关系，斜率会成倍上升。
2.大信号时，和小信号完全不一样，会遭遇所谓的slew rate（又叫摆率，又叫转换速率等等）瓶颈，也就是说，你信号再大，本运放我就这么点本事，速度就这么快了，斜率的坡再不能斜了（此时斜率更像一根直线，基本均匀不变）
如下图文字所述（摘自razavi的《模拟CMOS集成电路设计》一书），

                               
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为什么会发生这样奇怪的事情呢？原来信号来的太猛了，以至于输入级的那一差分对管中的一个直接歇菜，**截止了，直接导致反馈环断裂，斜率倍增的春光不再，好像在说：本运放就这么点本事，你信号再大，哥也没办法，斜率真的不能再斜了！（详细看razavi的书，解释的很简单详细）

于是有了帖子最开始的那红色圈住的部分，可以用另一本书（ Allen的《CMOS模拟集成电路设计》（第2版）p362）中的下面这句话描述：

                               
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话说回来，从razavi的书中阐述来看，增加上述工作电流（电压）的目的是增加电容充放电速度，而这个所谓的电容，并不是运放内部的结电容，“着重”指的是负载电容（包括寄生的，导线的等等）。
话又说回来，为了研究所谓结电容对翻转速度的影响，我还专门查阅了“pn结的瞬态响应”这个话题。详细可以参考http://bbs.21ic.com/icview-197165-1-1.html 。
主流的结论是：描述pn结的瞬态响应，不适合用扩散电容等理论，取而代之是所谓的“基区贮存电荷”的理论。
原因似乎是：如果信号变化过快，扩散电容的模型将失效，更何况阶跃信号的情境之下呢！
或者如下摘图所说：

                               
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而我们这里，pn结的翻转延迟和严重的摆率问题比起来似乎又是可以 忽略的 次要问题。


至此，我想我可以结贴了。
累死我了，这些日子。。。

daodai

为了一块钱 拼了哈哈 ！！  建议去楼主去看一下反相器  ramp up/down时间的文章！！   以充电为例，pmos其实经历从饱和到线性的过程（|vds|不断变小），分析极端情况，1.如果永远是恒流源的话，vdd变大的话 电流变大（平方率公式），看似充电时间会变短，但是注意trip point 电压也升高了（VDD/2)。所以会有一个交点。   2.如果永远是电阻的话， 充电时间其实就是R乘以C， R反比于VDD， 所以充电时间是缩小的。 综上， 楼主自己想想？

hetiandemeng017

回复 14# daodai
反相器似乎只存在于部分TTL等结尾的运放中，似乎不能代替普遍。话说回来，我似乎以及结贴找到答案了，sorry~！
如果你再早一点，冲你这个积极性，分也给你了。呵呵！话说只有1分，哈

daodai

回复 14# hetiandemeng017


    我们俩估计就差个几分钟 因为我编辑的时候 还没看到已解决的状态  哈哈 我的1元钱啊  哈哈

daodai

回复 14# hetiandemeng017


    对于比较器而言 最后一级基本上就是一个扇出很大的反相器