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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端讨论区 › siliconsmart特征化model时遇到的问题
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查看: 3422|回复: 1

[求助] siliconsmart特征化model时遇到的问题

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gctx
发表于 2012-11-16 16:54:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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siliconsmart进行model的时候泄漏功耗显示为负值，lib文件里面的泄漏合功耗为0，
请问泄漏功耗显示为负值是由什么造成的？怎样避免？
求各位大神解答一下！
谢谢了！
泄漏

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cn_dabby
发表于 2013-11-5 17:59:52 | 显示全部楼层
你可以在configure.tcl文件中设置一个参数set gate_leakage_time_scaling_factor 50.0
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