版上有人做 uhv 超高壓設計嗎 ??

peterlin2010 · 发表于 2012-11-16 08:10:37

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看過台灣 t開頭 uhv device 還是很大一顆 ,而且電流不會太大
如果內建當 driver 會很大 .
我知道量產有 depletion mos  但都只是當 internal pull_up mos .

不是當 switch  mos .
有些 design 須要 700v  耐壓且流過 40ma ..那要多大 uhv mos ?

為何無法做到 off break down 700v
但是 on 時低 rds on ?
目前看到 foundary 提供多是 resurf  類或加大 rds 方式去耐高壓 ,但是 rds 會比 pi 大很多.
PI 到底是去那邊下單 ??

lodestar6666 · 发表于 2012-12-30 09:17:36

集成的HV MOS都是LDMOS，而低的Ron需要体硅结构，厚外延层，与常规CMOS工艺不兼容。

deseetp · 发表于 2013-1-3 18:38:30

此類UHV的device , implant跟一般mixed mode device可能不太一樣 , 如果硬要做再一起 , 恐怕需要額外的mask

peterlin2010 · 发表于 2013-1-5 10:51:51

本帖最后由 peterlin2010 于 2013-1-5 10:54 编辑

最大問題是可靠度吧 , 台灣 fab  寫 800v  700v
但聽到量產後也發生過掉到 500 600v ..

業內都該知道那一家 , 所以才好奇 uhv  switch device .
不是指 pull_up 用是指當 switch 或是 ldo 外掛 power mos 能力 , 有些 led driver 都想內建 uhv mos
省去外掛 mos .

有些代工廠說問題出在封裝 ,但是 ,對使用 uhv process 來說 ,為何和package 有關??
難到外面 powermos package 和一般 ic package 材料差很多 ??
我說的是可靠度 ..不是 wafer wat 看得到的 .

另外還有一家 uhv process 會讓本來 40v breakdown 掉下去
這也是很怪 ,  大家都知到 40v 是常用 , 外掛 powrmos內建就是要省外面
但用這家 uhv  確無法到 40v .. 該公司也不願改 .
真是難用的 process.

semico_ljj · 发表于 2013-1-5 12:04:02

期望了解一些

alan194 · 发表于 2013-1-26 11:48:54

其实他的fingger LDMOS 还是存在问题，本人做HVIC好几年了

peterlin2010 · 发表于 2013-1-28 09:01:49

fingger LDMOS 还是存在问题
=> 是那方面?

i0977454522 · 发表于 2015-7-17 11:35:58

HV power,LDMOS

[求助] 版上有人做 uhv 超高壓設計嗎 ??

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