工艺角（process corner）问题请教

chenxiangfa · 发表于 2014-6-3 10:17:07

信号还是比较多，高手不上来，我来涨点知识，多少有点收获

zakxue · 发表于 2014-7-24 23:46:15

谢谢指点

nobody_yet · 发表于 2014-8-29 18:10:18

再讲详细一点就好了……

mliu_2014 · 发表于 2015-11-21 01:32:36

顶一个~~~~~~~~~~~~~

huage151 · 发表于 2016-9-24 10:46:30

主要精力放在FF和SS高压下吧，一般芯片工作要求工作在-25到85，本人经验来看，-25度一般问题不大，常出现问题的就是FF和SS高温，仿真设计中建议高温，low.morm.high电压下都多留余度

AngerWinTD · 发表于 2016-9-25 13:00:48

工艺角FF，SS表现于对负载驱动能力的大小，FF表示驱动能力大，输出电流大，那么其阈值电压就会偏小，同样的，迁移率较大，宽长比偏大，一些影响电流的因素都会往偏大的方向偏，暂时是这么理解，不知对不对

紫云lyj · 发表于 2016-12-13 10:16:02

学习一下

huangniuniu · 发表于 2016-12-13 10:48:08

一般worse case 是 SS, TEMP最低， VSUPPLY 最小，主要还是DC值不能保证所有的核心DEVICE 工作于饱和态，

Rohau · 发表于 2018-8-22 14:01:45

最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同，最坏的延迟也不都出现在 SS。根据不同的仿真需要，会有不同的 PVT 组合。
参考：https://wenda.chinawjzx.com/ztnews/fid6c55h7j8kac7cfajeb7k7.html

chanshi634 · 发表于 2018-12-5 18:49:25

回复 16# AngerWinTD

恩恩，感觉理解很对，所以进一步来说，可以这么讲么？在相同的电压温度下，FF跟SS两个corner的功耗做比较，首先，FF的leakage要大，因为FF的开启电压低；其次，FF的动态功耗也要大，因为输出电流大，IDS大，所以动态功耗也大。

不知道是否可以这么理解，请高人指点。

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