在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1553|回复: 2

[求助] 關于擊穿電壓

[复制链接]
发表于 2012-11-2 13:35:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
各位大俠,foundry提供的EDR中有關于BVds and BVGTPWa兩個指標,應該是junction and tox擊穿電壓,但我想知道是如何連接測試的?
发表于 2012-11-4 20:59:09 | 显示全部楼层
不知道你指的是什么测试啊
一般这两个参数知道就好, 应用的时候注意不要超过其值就OK
 楼主| 发表于 2012-11-5 20:56:35 | 显示全部楼层
回复 2# jluhzw


    BVGPW (LV, A=7000um^2, @10mA/cm^2)   --   --   -1     V
for nmos
BVGNW (LV, A=70000um^2, @10mA/cm^2)     1   --    --     V
for pmos

應該是柵氧擊穿電壓,但究竟該如何理解呢?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-27 13:39 , Processed in 0.018532 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表