中微公司发布新一代等离子刻蚀设备

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近日，中微半导体发布了两款新一代刻蚀设备。

新设备中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“单反应器甚高频去耦合反应离子介质刻蚀机”)，可应用于最先进的存储芯片和逻辑芯片的加工生产，包括2x纳米及1x纳米代高深宽比接触孔刻蚀、沟槽及接触孔刻蚀、串行刻蚀(在单反应器中实现多步操作)。Primo SSC AD-RIE拥有独特的创新设计，能够在工艺控制方面实现前所未有的灵活性，并能帮助芯片生产商在确保芯片加工质量的同时达到更高的产出效率。

另一款，12英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蚀产品Primo TSV200E?的能力，可用于多种硅深孔及深槽刻蚀。公司的8英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E?获得业界认可，已被亚洲众多客户用于先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片的生产。中微第一台Primo TSV300E?设备已在国内领先的晶圆封装厂运转。

这两种设备强化了中微公司产品布局，为全球芯片生产商应对半导体工艺的挑战提供了更多、更新、更好的解决方案。

中微公司董事长兼首席执行官尹志尧认为，这些设备都具有领先的独特创新，能够解决随着技术进步和材料深度整合出现的新的技术障碍。他表示：“这些设备也能为芯片生产商带来显著的成本竞争优势，创造更多价值。”