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楼主: xyz11978

[求助] hot well是怎么定义的。

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发表于 2013-9-16 15:14:05 | 显示全部楼层
明白了,谢谢各位大侠
发表于 2014-2-7 14:33:30 | 显示全部楼层
學習
謝大大解說
发表于 2014-4-24 13:58:57 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-9-8 21:31:21 | 显示全部楼层
受益匪浅~谢谢~
发表于 2020-4-30 08:21:09 | 显示全部楼层
谢谢各位大侠
发表于 2020-5-28 09:59:44 | 显示全部楼层
学习学习了
发表于 2020-6-11 19:18:56 | 显示全部楼层
hot well是没有接最高电位的well,它和psub并非处于强反偏,这导致well里的pmos源端更容易与well正偏,导致纵向PNP导通,它与NMOS距离需要更远是为了防止与NMOS寄生的横向NPN形成正反馈回路,触发闩锁。拉远的本质是增大了PNPN结构导通的电阻。而接最高电位的well这种风险要小很多。
发表于 2024-4-9 16:27:04 | 显示全部楼层


FallForV 发表于 2020-6-11 19:18
hot well是没有接最高电位的well,它和psub并非处于强反偏,这导致well里的pmos源端更容易与well正偏,导致 ...


很有道理,学习了
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