hot well是怎么定义的。

tvsz123456 · 发表于 2013-9-16 15:14:05

明白了，谢谢各位大侠

ralinkok · 发表于 2014-2-7 14:33:30

學習
謝大大解說

apple2014 · 发表于 2014-4-24 13:58:57

学习了

一只鱼 · 发表于 2016-9-8 21:31:21

受益匪浅~谢谢~

qmx123130 · 发表于 2020-4-30 08:21:09

谢谢各位大侠

iclayout_c · 发表于 2020-5-28 09:59:44

学习学习了

FallForV · 发表于 2020-6-11 19:18:56

hot well是没有接最高电位的well，它和psub并非处于强反偏，这导致well里的pmos源端更容易与well正偏，导致纵向PNP导通，它与NMOS距离需要更远是为了防止与NMOS寄生的横向NPN形成正反馈回路，触发闩锁。拉远的本质是增大了PNPN结构导通的电阻。而接最高电位的well这种风险要小很多。

weouyop0 · 发表于 2024-4-9 16:27:04

FallForV 发表于 2020-6-11 19:18
hot well是没有接最高电位的well，它和psub并非处于强反偏，这导致well里的pmos源端更容易与well正偏，导致 ...

很有道理，学习了

[求助] hot well是怎么定义的。

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