对于无片外电容的LDO,给数字电路供电时，输出跳变能做到多少？

johnlee521 · 发表于 2012-10-4 08:12:27

回复 semico_ljj

VDD=5V,额定输出电压3.3V,您觉得主要是哪里出问题了？
jiebind 发表于 2012-10-3 23:08

登录/注册后可看大图

个人觉得，压降达到了1.7V，做个简单的DCDC好一些；LDO在1V内比较好，功耗不是很大

amodaman · 发表于 2012-10-4 10:00:36

回复 8# jiebind

你们的数字逻辑电路是3.3伏供电的? 就算掉到2.8伏左右,仍然是比NMOS管和PMOS管的阈值总和要高很多，不会造成逻辑错误的，只要不触发复位信号就行。你们的触发电平不会要到2.8伏这么高的吧？　另外你仿真的情形，从100uA在一微秒内升到20mA的负载电流是否真实是要确认的。

jiebind · 发表于 2012-10-4 12:15:44

本帖最后由 jiebind 于 2012-10-4 12:19 编辑

回复 12# amodaman

呵呵，多谢啊。是3.3V供电的，当然掉到2.8V理论上还是可以工作的，只是数字部分的负载电流跳变真不好说，有什么方法可以估算一下吗？还有，有问题一直困扰着我，对于LDO，瞬态响应的关键决定因素是什么呢，我看论文上都是上下100mV以内的跳变，我的这个太悲催了，唉~

小蝌蚪 · 发表于 2012-10-4 12:47:31

回复 13# jiebind

LDO的输出电压可以看成两部分，一部分是输出的中心值，另一部分是在中心值的基础上的跳变值，中心值的恢复时间与LDO的带宽相关，而跳变值是由I*t=C*deltaV的计算公式得到的，我们需要保证的是跳变值的最低值（或者说极短的时间内的最低值）满足逻辑部分的工作电压，同时保证系统不被触发即可！

amodaman · 发表于 2012-10-4 12:57:48

回复 13# jiebind

你的跳变达到20mA了，如果瞬态的时间真的是1us的话，你这个性能也不算差了。要不再花点尾电流把环路带宽做大一些，加多一些去耦合电容也是有帮助的，到多少才是你想要的可以很简单的算出来的吧。

jiebind · 发表于 2012-10-4 22:05:21

回复 15# amodaman

呵呵，多谢您的帮助啊~

MOSBJT · 发表于 2012-10-4 22:21:53

本帖最后由 MOSBJT 于 2012-10-4 22:34 编辑

回复 15# amodaman

难道跳变100mV以内的LDO比较难做？

MOSBJT · 发表于 2012-10-4 22:25:08

本帖最后由 MOSBJT 于 2012-10-4 22:26 编辑

做过无电容LDO的朋友们，你们一般能做到负载响应跳变多少呢？小弟对这个问题比较好奇

juliansky · 发表于 2012-10-4 23:25:40

回复 15# amodaman

请问对于无电容LDO输出电流的指标是指的是满足被驱动数字电路的平均电流还是瞬态电流？

amodaman · 发表于 2012-10-5 10:22:32

回复 19# juliansky

LDO 的驱动能力一般是指平均的负载电流. 这个规定了Pass Device的尺寸要求. 瞬态负载电流的变化或者瞬态输入电压的变化都应该从瞬态响应这个指标去规定, 也就是这里反复讨论的响应时间, 最大响应跳变等等.

[讨论] 对于无片外电容的LDO,给数字电路供电时，输出跳变能做到多少？

站长推荐 /2