请问bipolar工艺中npn可以用小至1uA的集电极电流吗？

math123 · 发表于 2012-9-25 20:57:45

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如果beta是100 ，bipolar管子设置Ic=1uA ，那么Ib只有10nA，加上各种工艺角的变换，最小的时候Ib可能只有5nA，这么小的电流可靠吗？谢谢！

iWeiguo · 发表于 2012-9-25 21:15:46

没这么试过，不过提醒一下beta是随电流变化的，1uA的Ic电流Beta应该到不了100。仅供参考。

semico_ljj · 发表于 2012-9-25 21:45:03

看工艺了！有的工艺漏电都有1nA以上了

wind2000sp3 · 发表于 2012-9-26 09:47:53

取决于工艺和版图。

peterlin2010 · 发表于 2013-4-17 18:35:33

for real chip ..

hi-V mos current mirror => < 1ua
=> real chip fail

Low volt 5v mos  current mirror => < 1ua  =>
simulation OK , but mass production have yield loss .

and some low current bandgap design ..看過 1ua M=48 .
每個都很小,

but 那是 CMOS  BCD PROCESS parastic  bjt 當 diode , Ib 不太在意..

純 bipolar process  Vce leakage 很多是  x1 => 1ua  ..
以前碰過  leakage > 5ua , 誤動作..

chenxiaoming · 发表于 2013-4-23 12:07:22

主要取决于工艺

luoxiao · 发表于 2014-5-11 17:35:17

可靠，取决于工艺

PowerTheFuture · 发表于 2019-10-5 18:12:57

还要考虑温度的变化。。

i0977454522 · 发表于 2020-7-29 10:29:08

tthank

snola · 发表于 2020-7-29 16:36:05

The leakage current is greater than 10nA, it may affect the operation of your circuit.

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