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发表于 2012-9-8 23:04:21
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回复 5# iWeiguo
""wuzl423 说的有道理,电阻较小时,Ir=20uA,因为中间NMOS管的漏电压比第一个高(一般该条件成立),Ir会略大于20uA,这时R路的MOS管均工作与饱和区,因为管子漏电压的问题,电流与20uA略有差别;当R电阻太大时,导致R路的MOS管进入线性电阻区,电流就降下来了。wuzl423的第二个公式中的1/Gm即是线性电阻区电阻。""
1、因为中间NMOS管的漏电压比第一个高(一般该条件成立)这个是为什么啊????
2、当R电阻太大时,导致R路的MOS管进入线性电阻区
对NMOS3,,Vd3等于VDD-IR-DS3这样R越大,Vd3就越小是吧容易进入线性区
3、PMOS3的栅压等于VDS2,漏压取决于R,R越大,Vd越小,这样Vdp3-Vgp3容易小于|Vtp|,这样就饱和区了啊??
另外(1/gm)//ro什么时候接近(取)1/gm,什么时候接近(取)ro |
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