sealring与内部电路之间为什么规定有10um的距离？

账户已登录 · 发表于 2019-5-10 11:01:54

chengji1999 发表于 2019-5-10 09:03
是到sealring内边缘10um，还是到sealring中心10um？到内边缘10um确实有点大，看工艺的 ...

确实和工艺有关，我这边用的t110是10um，t40是6um，我只是不太明白之前前辈回帖的时候说的这个间距和ESD有关关系是什么关系呢

chengji1999 · 发表于 2019-5-10 12:46:01

所谓的sealring影响ESD，应该是切割wafer产生的电应力吧？

haoren007 · 发表于 2021-7-27 17:30:03

chengji1999 发表于 2019-5-10 09:03
是到sealring内边缘10um，还是到sealring中心10um？到内边缘10um确实有点大，看工艺的 ...

core的外边缘到seal ring的内边缘

Peter_Gym · 发表于 2024-9-22 21:33:57

gooods

yyaiyanzi · 发表于 2024-9-23 13:07:38

感谢各位的分享

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