MOS管在截至状态下的耐压情况

iclover7654321 · 发表于 2012-7-23 17:10:50

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不知道有没有哪位大侠知道3.3v 的nmos在截至状态下是否能耐住5v电压，具体接法：S和G接地，D接5v，不知道这样gate会不会被击穿

kwankwaner · 发表于 2012-7-23 22:04:46

看工艺曲线

Areky · 发表于 2012-7-23 22:50:12

标准的GGNMOS结构..用在ESD保护电路.. big width size
前提..drain端vcontact离gate距离要远, 不salicide..增大rds.
layout follow fab ESD design rule is enough..

iclover7654321 · 发表于 2012-7-24 10:30:15

谢谢楼上回答，ESD的画法是为了抵御瞬间很大的电流冲击，如果使用中的电流不像ESD电流冲击那么大，约50mA左右，并且只持续1-2us的时间，不按照ESD rule的画法是否也能抗的住呢？

mcafee · 发表于 2012-7-24 11:40:38

测栅极电流，如果有击穿危险的话，仿真器会报！

jamesccp · 发表于 2012-7-24 15:25:52

G-D间的氧化层介质会受到损伤，降低寿命。

totowo · 发表于 2012-7-24 15:49:28

应该不会breakdown，但是有reliability问题，如果你是学生发paper，问题不大，如果你做product就不行了。

gaojun927 · 发表于 2012-7-25 12:17:50

以前曾经做过实验，印象中3.3V的管子5v下能持续工作挺长时间，6v可能马上就坏了。

chenkai_kk · 发表于 2012-7-25 20:04:46

这个还是看工艺参数吧。有BV的。
我们用的3V管子最高都能撑到5V的。

mikeppq · 发表于 2014-5-9 09:58:30

根据我的经验，3.3V的管子用到4.5V没问题的，但一过4.8V性能就很差了，到5V也能用，reliability降低。

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