DC-DC内部模拟电源中限流管

leonchan · 发表于 2012-7-11 20:29:17

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附图中为DC-DC中的模拟电源，包括关断比较器与一个EN控制电路，M10结型场效应管，栅极接地，它在电路中起到限流和降压的作用。IN输入端电压从4.75至20V，M1、M2、M3的漏端保持在大概4.5V左右。
右边为一个带隙基准构成的类似LDO的结构，Mref为逻辑输出电压。不知道这样分析是否正确。
不知道有没有大虾见过或采用过这种结构，请问如果工艺中没有结型场效应管，能不能实现这种结构。PS：主要是让M10的下端电位不随输入变化，并保持在4.5V左右。

dada363324 · 发表于 2012-7-11 23:58:37

1) 没有JFET情况下，你可以用高压DMOS来替代。电路要麻烦点。因为你要regulate DMOS的 GATE电压。也就是产生一个简单的LDO。这个LDO输出为4.5V。（这个电压可以比较粗糙，电压就可以了。）
2）图中左边为产生电流BIAS的电路。不是什么关断比较器。中间为使能control电路。让最右边的基准工作起来。
3）mref为基准电压输出端。通过Q76，Q75比例，如1:4 or 1:8来产生PTAT电流I=VTlnn/R3.
R5端电压就可以求出来了。=vbe76+I*R4. 通过R6与R5的分压关系求出mref

lwq_119 · 发表于 2012-7-12 09:39:07

好东西啊，我要认真学习一下

leonchan · 发表于 2012-7-12 10:54:30

谢谢您的解答，按照您所说，能不能先设计右边的带隙基准结构，通过带隙输出的提升电压给DMOS管提供GATE电压。
但如果这样的话，M1-M7的源端估计只能做到3V多。
另外，DC-DC整流管和开关管的驱动级也有一部分（这部分直接驱动开关管和整流管）采用JEFT来限流和降压，而不是由逻辑电源供电，可能是考虑到电流比较大，这部分的JEFE有6个并联。如果也用LDO行不行。

sisc1525 · 发表于 2012-7-12 14:33:38

有意思。

leonchan · 发表于 2012-7-13 01:33:53

没人遇到过同样的问题吗？

dayikimo · 发表于 2012-7-17 11:07:01

M10 可以用HVNMOS, Gate端對地接5.6V zener 對IN接限流電阻, 收工

如果要電流小又要電壓又要精準, 那線路會變的很複雜

cy510 · 发表于 2012-8-6 23:13:53

好东西。。。学习了！

ni2121 · 发表于 2012-10-20 23:54:25

好东西。。。学习了！

stupidkfw · 发表于 2012-10-29 21:04:16

学习了高手还是不少

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