capless LDO的反应时间（reaction time）

ohmylittlec · 发表于 2012-7-3 12:16:03

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在0.35um工艺下，做到5nS是否有可能？

问这个问题的原因是：反应时间与Load capacitor成反比，反应时间越短，需要的Load capacitor就可以越小。从成本考虑，越小的Load capacitor是越好，但是在0.35um工艺下，5ns的reaction time是否可行呢？

jamesccp · 发表于 2012-7-3 16:09:19

没有经验，等高人介绍。

jerykot · 发表于 2012-7-3 22:46:00

建议去搜索一下同类产品。
了解一下，如果别人有卖，那就有可能做出来。
别人没卖，那可能性就不大了。

chengyh · 发表于 2012-7-3 23:10:32

只要电流足够大，应该是可行的。

woodtrain · 发表于 2012-7-4 11:24:10

基本上没有可能,ns的transient response要求环路带宽过高,需要的电流过大,不现实

薛定谔的太极拳 · 发表于 2012-7-4 12:53:03

学习了

fashion612 · 发表于 2012-7-4 14:26:05

一般来说,这种类型的LDO可以在AC和TRAN上进行分析,在AC域上其GB越大,则在TRAN上的反应时间越短,而且VOUT的瞬时最低值会更低,但是LDO得EA需要消耗更大的电流.

semico_ljj · 发表于 2012-7-4 14:37:01

反应时间与Load capacitor成反比,有点片面吧，还要看Iload需要多大

ohmylittlec · 发表于 2012-7-4 16:29:37

回复 8# semico_ljj

对，那个公式中有Cload，delta t, Iload,max,以及 delta V。

我这里已经知道能够允许的delta V，以及 Iload，所以关注的是Cload 和delta t的关系。

ohmylittlec · 发表于 2012-7-4 16:32:45

回复 3# jerykot

没搜索过产品，但是就我搜索的paper来看，能够做到4～6nS的仅看到一篇，而且还是65nm的工艺。
如果是产品的话，一般都是LDO芯片了。外面挂的电容一般在nf量级，所以对reaction time的要求可能不高吧。

[讨论] capless LDO的反应时间（reaction time）

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