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本帖最后由 vipjph 于 2012-7-3 10:22 编辑
作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通常会选择比较廉价的分立器件。
图 1 简单的缓冲器可驱动2 Amps 以上的电流。 图 1 中的示意图显示了一个 NPN/PNP 发射跟随器对,其可用于缓冲控制 IC 的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。
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