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[求助] 最近转用ARM library没EndCap,怎么办?一定要加EndCap吗?

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发表于 2012-6-30 18:31:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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以前用Standard Cell Library有EndCap,现在在0.18um上用ARM的libary没有EndCap,怎么办?数字版图设计是不是一定需要加EndCap?
发表于 2012-6-30 20:08:56 | 显示全部楼层
解决方法其实很简单,就是自己画一个,提lef,然后使用………
最好还是加一点,对芯片性能有好处
发表于 2012-6-30 22:09:09 | 显示全部楼层
不是100%必要的东西
发表于 2012-6-30 22:33:00 | 显示全部楼层
45nm 以下才加好吧,
 楼主| 发表于 2012-7-2 17:34:15 | 显示全部楼层
回复 4# icfbicfb

以前我用的AMS 0.35um也有EndCap喔。。
 楼主| 发表于 2012-7-2 17:50:27 | 显示全部楼层
回复 2# bsbs525

谢谢。本来我以为EndCap就是在VDD和GND之间的电容,起稳压作用,但下面的段落又不是这样说,这来自ARM SAGE standard cell data book。我尤其不清楚Twin-well, Triple-well和EndCap的关系,可否解释一下?
WELLANTENNA Cell
This process requires that, for any standard cell row with a device in it, the N-well must be tied down to the substrate
and triple-wells must be tied to the enclosing N-well. Any connection between the wells is usually sufficient. In a
triple-well design, the connection will happen automatically when you place the ENDCAP cells at the ends of the
standard cell rows. In triple-well and twin-well designs, any CMOS standard cell (such as an inverter) placed in a
standard cell row will also make the connection; however, in a twin-well design, if a pair of standard cell rows, sharing
an N-well, or a single standard cell row is populated by nothing but FILL cells and/or ANTENNA cells and at least
one FILLCAP cell, then the associated N-well will be in violation of the well antenna rule. In this scenario, the N-well
must be tied down to the substrate by inserting a WELLANTENNA cell into the standard cell row in violation.
发表于 2012-7-3 18:52:40 | 显示全部楼层
我理解的和你类似,EndCap是在Special route 开始及结束的地方分别加Cap,以保证Special route在接入及接出的地方都经过了一定数量的电容,这样做有利于standard cell的稳定,以利于芯片的性能,ESD等。包括后面加filler的时候增加Decap电容我理解的也是这个意思。
Twin-well, Triple-well我不懂什么意思,请高手分析下~~~
发表于 2012-7-3 22:51:38 | 显示全部楼层
WELLANTENNA Cell 是什么类型啊
发表于 2014-4-3 18:00:58 | 显示全部楼层
well antenna rule是什么概念?根据解释这里添加的WELLANTENNA Cell和稳压没什么关系吧?
发表于 2014-4-3 18:17:32 | 显示全部楼层
这个是要看STD供应商的吧,应该不是绝对要求的
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