设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › 硬件设计论坛 › 电路设计论坛(数字/模拟) › 电路设计资料 › NDMOS+NMOS VREF PSRR提高的原理



EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师	创芯人才网--重磅上线啦！

发新帖

查看: 2039|回复: 0

[原创] NDMOS+NMOS VREF PSRR提高的原理

发表于 2012-6-13 20:54:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

NDMOS与NMOS组成的电压基准，NDMOS接成Vgs=0的形式，多增加一个NDMOS则PSRR能提高，但增加的NDMOS其W/L要比之前的大1倍左右。不知原理为何？

相关帖子

回复

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 15:01 , Processed in 0.015452 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表